Alliance Memory AS4C32M16D3L-12BIN, SDRAM 512Mbit Surface Mount, 800MHz, 1.283 V to 1.45 V, 96-Pin FBGA
- N° de stock RS:
- 230-8424
- Référence fabricant:
- AS4C32M16D3L-12BIN
- Fabricant:
- Alliance Memory
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,945 € | 9,89 € |
| 10 - 18 | 4,525 € | 9,05 € |
| 20 - 48 | 4,435 € | 8,87 € |
| 50 - 98 | 4,40 € | 8,80 € |
| 100 + | 3,955 € | 7,91 € |
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- N° de stock RS:
- 230-8424
- Référence fabricant:
- AS4C32M16D3L-12BIN
- Fabricant:
- Alliance Memory
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Memory Size | 512Mbit | |
| Organisation | 32M x 16 | |
| SDRAM Class | DDR3L | |
| Data Rate | 800MHz | |
| Data Bus Width | 16bit | |
| Address Bus Width | 12bit | |
| Number of Bits per Word | 16bit | |
| Maximum Random Access Time | 20ns | |
| Number of Words | 32 M | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package Type | FBGA | |
| Pin Count | 96 | |
| Dimensions | 8 x 13 x 1.0mm | |
| Height | 1.0mm | |
| Length | 8mm | |
| Maximum Operating Supply Voltage | 1.45 V | |
| Maximum Operating Temperature | +95 °C | |
| Minimum Operating Supply Voltage | 1.283 V | |
| Width | 13mm | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Memory Size 512Mbit | ||
Organisation 32M x 16 | ||
SDRAM Class DDR3L | ||
Data Rate 800MHz | ||
Data Bus Width 16bit | ||
Address Bus Width 12bit | ||
Number of Bits per Word 16bit | ||
Maximum Random Access Time 20ns | ||
Number of Words 32 M | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Package Type FBGA | ||
Pin Count 96 | ||
Dimensions 8 x 13 x 1.0mm | ||
Height 1.0mm | ||
Length 8mm | ||
Maximum Operating Supply Voltage 1.45 V | ||
Maximum Operating Temperature +95 °C | ||
Minimum Operating Supply Voltage 1.283 V | ||
Width 13mm | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
The Alliance Memory 512Mb Double-Data-Rate-3L (DDR3L) DRAMs is double data rate architecture to achieve high-speed operation. It is internally configured as an eight bank DRAM.
8 internal banks for concurrent operation
8n-bit prefetch architecture
Pipelined internal architecture
Precharge & active power down
Programmable Mode & Extended Mode registers
8n-bit prefetch architecture
Pipelined internal architecture
Precharge & active power down
Programmable Mode & Extended Mode registers
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