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Vishay 45 V 40 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK VBT4045BP-E3/8W

N° de stock RS:: 762-0193
Référence fabricant:: VBT4045BP-E3/8W
Fabricant:: Vishay

Vishay 45 V 40 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK VBT4045BP-E3/8W

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N° de stock RS:: 762-0193
Référence fabricant:: VBT4045BP-E3/8W
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	Diode
	Mount Type	Surface
	Package Type	TO-263
	Maximum Continuous Forward Current If	40A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	45V
	Diode Configuration	Single
	Rectifier Type	Schottky
	Pin Count	3
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	240A
	Peak Reverse Current Ir	85mA
	Maximum Forward Voltage Vf	630mV
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.45mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83mm
	Height	9.14mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type Diode
	Mount Type Surface
	Package Type TO-263
	Maximum Continuous Forward Current If 40A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 45V
	Diode Configuration Single
	Rectifier Type Schottky
	Pin Count 3
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 240A
	Peak Reverse Current Ir 85mA
	Maximum Forward Voltage Vf 630mV
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.45mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.83mm
	Height 9.14mm
	Automotive Standard No

VBT4045BP, Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

Pays d'origine :: CN

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, 30A to 80A, Vishay Semiconductor

The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Patented Trench Structure

Improved efficiency in AC/DC Switched mode-power supplies and DC/DC converters

High power density and low forward voltage

Features

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

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