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Vishay 100 V 10 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK MBRB10100-E3/8W

N° de stock RS:: 813-0828
Référence fabricant:: MBRB10100-E3/8W
Fabricant:: Vishay

Vishay 100 V 10 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK MBRB10100-E3/8W

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 813-0828
Référence fabricant:: MBRB10100-E3/8W
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Mount Type	Surface
	Product Type	Diode
	Package Type	TO-263
	Maximum Continuous Forward Current If	10A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	100V
	Series	MBR
	Diode Configuration	Single
	Rectifier Type	Schottky
	Pin Count	3
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	150A
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Peak Reverse Current Ir	6mA
	Maximum Forward Voltage Vf	800mV
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.45mm
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC, J-STD-020, J-STD-002, JESD 22-B106, JESD 22-B102, JESD 201 Class 1A, WEEE 2002/96/EC, UL 94 V-0
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Mount Type Surface
	Product Type Diode
	Package Type TO-263
	Maximum Continuous Forward Current If 10A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 100V
	Series MBR
	Diode Configuration Single
	Rectifier Type Schottky
	Pin Count 3
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 150A
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Peak Reverse Current Ir 6mA
	Maximum Forward Voltage Vf 800mV
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.45mm
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, J-STD-020, J-STD-002, JESD 22-B106, JESD 22-B102, JESD 201 Class 1A, WEEE 2002/96/EC, UL 94 V-0
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor

The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over Planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above Planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Features

Patented Trench Structure

Improved efficiency in AC/DC Switched mode-power supplies and DC/DC converters

High power density and low forward voltage

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

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