Vishay 650 V 20 A Rectifier & Schottky Diode MOS Barrier Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-3C20ET07T-M3
- N° de stock RS:
- 279-9481
- Référence fabricant:
- VS-3C20ET07T-M3
- Fabricant:
- Vishay
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| 500 + | 4,949 € | 247,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9481
- Référence fabricant:
- VS-3C20ET07T-M3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Rectifier & Schottky Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | TO-220AC 2L | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 20A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | VS-3C20ET07 | |
| Rectifier Type | MOS Barrier Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 110A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Peak Reverse Current Ir | 100μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 29.27mm | |
| Length | 10.51mm | |
| Width | 4.65 mm | |
| Standards/Approvals | JESD 201 Class 2 whisker test, RoHS and AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Rectifier & Schottky Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type TO-220AC 2L | ||
Maximum Continuous Forward Current If 20A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Series VS-3C20ET07 | ||
Rectifier Type MOS Barrier Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 110A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Peak Reverse Current Ir 100μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 29.27mm | ||
Length 10.51mm | ||
Width 4.65 mm | ||
Standards/Approvals JESD 201 Class 2 whisker test, RoHS and AEC-Q101 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay 650 V power SiC Gen 3 merged PIN schottky diode. It comes with improved VF and efficiency by thin wafer technology. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material.
RoHS compliant
Halogen free
UL 94 V-0 flammability rating
Very low profile
Temperature invariant switching behaviour
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