Vishay 650 V 12 A Rectifier & Schottky Diode Trench MOS Schottky 3-Pin SMPD 2L VS-3C12ED07T-M3/I

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279-9461
Référence fabricant:
VS-3C12ED07T-M3/I
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Mount Type

Surface

Product Type

Rectifier & Schottky Diode

Package Type

SMPD 2L

Maximum Continuous Forward Current If

12A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Diode Configuration

Single

Series

eSMP

Rectifier Type

Trench MOS Schottky

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Reverse Current Ir

65μA

Maximum Forward Voltage Vf

1.5V

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

83A

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, UL 94 V-0, AEC-Q101, JESD 201 Class 2 whisker test

Height

1.7mm

Length

9.4mm

Automotive Standard

No

The Vishay 650 V power SiC Gen 3 merged PIN schottky diode. It comes with improved VF and efficiency by thin wafer technology. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material.

RoHS compliant

Halogen free

UL 94 V-0 flammability rating

Very low profile

Temperature invariant switching behaviour

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