Vishay 650 V 12 A Rectifier & Schottky Diode Trench MOS Schottky 3-Pin SMPD 2L VS-3C12ED07T-M3/I
- N° de stock RS:
- 279-9461
- Référence fabricant:
- VS-3C12ED07T-M3/I
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
4,45 €
(TVA exclue)
5,38 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 49 | 4,45 € |
| 50 - 99 | 3,58 € |
| 100 - 249 | 3,00 € |
| 250 - 999 | 2,87 € |
| 1000 + | 2,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9461
- Référence fabricant:
- VS-3C12ED07T-M3/I
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Rectifier & Schottky Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SMPD 2L | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 12A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Series | eSMP | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Trench MOS Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 83A | |
| Peak Reverse Current Ir | 65μA | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, UL 94 V-0, AEC-Q101, JESD 201 Class 2 whisker test | |
| Length | 9.4mm | |
| Width | 8.99 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Rectifier & Schottky Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SMPD 2L | ||
Maximum Continuous Forward Current If 12A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Series eSMP | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Trench MOS Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 83A | ||
Peak Reverse Current Ir 65μA | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS, UL 94 V-0, AEC-Q101, JESD 201 Class 2 whisker test | ||
Length 9.4mm | ||
Width 8.99 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay 650 V power SiC Gen 3 merged PIN schottky diode. It comes with improved VF and efficiency by thin wafer technology. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material.
RoHS compliant
Halogen free
UL 94 V-0 flammability rating
Very low profile
Temperature invariant switching behaviour
Liens connexes
- Vishay 650 V 12 A Rectifier & Schottky Diode Trench MOS Schottky 3-Pin SMPD 2L VS-3C12ED07T-M3/I
- Vishay 650 V 16 A Rectifier & Schottky Diode Trench MOS Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-3C16ET07T-M3
- Vishay 650 V 4 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 2-Pin SMPD 2L VS-3C04ED07T-M3/I
- Vishay 650 V 6 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin SMPD 2L VS-3C06ED07T-M3/I
- Vishay 650 V 10 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin SMPD 2L VS-3C10ED07T-M3/I
- Vishay 650 V 20 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin SMPD 2L VS-3C20ED07T-M3/I
- Vishay 650 V 8 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin SMPD 2L VS-3C08ED07T-M3/I
- Vishay 1200 V 2 A Rectifier & Schottky Diode Trench MOS Schottky 2-Pin DO-219AB VS-E7FX0212-M3/I