Vishay 650 V 8 A Rectifier & Schottky Diode SiC Schottky 3-Pin D2PAK VS-3C08ET07S2L-M3
- N° de stock RS:
- 279-9446
- Référence fabricant:
- VS-3C08ET07S2L-M3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 4,67 € |
| 25 - 49 | 3,86 € |
| 50 - 99 | 3,52 € |
| 100 - 249 | 3,22 € |
| 250 + | 2,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9446
- Référence fabricant:
- VS-3C08ET07S2L-M3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Rectifier & Schottky Diode | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 8A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | VS-3C08ET07 | |
| Rectifier Type | SiC Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 54A | |
| Peak Reverse Current Ir | 45μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | UL, RoHS | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 11.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Rectifier & Schottky Diode | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 8A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Series VS-3C08ET07 | ||
Rectifier Type SiC Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 54A | ||
Peak Reverse Current Ir 45μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals UL, RoHS | ||
Length 10.67mm | ||
Width 11.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay 650 V power SiC Gen 3 merged PIN schottky diode. It comes with improved VF and efficiency by thin wafer technology. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material.
RoHS compliant
Halogen free
UL 94 V-0 flammability rating
Very low profile
Temperature invariant switching behaviour
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