Vishay 650 V 8 A Rectifier & Schottky Diode SiC Schottky 3-Pin D2PAK VS-3C08ET07S2L-M3

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279-9445
Référence fabricant:
VS-3C08ET07S2L-M3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Mount Type

Surface

Product Type

Rectifier & Schottky Diode

Package Type

TO-263

Maximum Continuous Forward Current If

8A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Series

VS-3C08ET07

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

SiC Schottky

Pin Count

3

Peak Reverse Current Ir

45μA

Maximum Forward Voltage Vf

1.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

54A

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.83mm

Standards/Approvals

UL, RoHS

Width

11.3 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Vishay 650 V power SiC Gen 3 merged PIN schottky diode. It comes with improved VF and efficiency by thin wafer technology. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material.

RoHS compliant

Halogen free

UL 94 V-0 flammability rating

Very low profile

Temperature invariant switching behaviour

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