Vishay 650 V 4 A Rectifier & Schottky Diode SiC Merged PIN Schottky 3-Pin D2PAK VS-3C04ET07S2L-M3

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

992,00 €

(TVA exclue)

1 200,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +1,24 €992,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
279-9427
Référence fabricant:
VS-3C04ET07S2L-M3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Mount Type

Surface

Product Type

Rectifier & Schottky Diode

Package Type

TO-263

Maximum Continuous Forward Current If

4A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Diode Configuration

Single

Series

VS-3C04ET07

Rectifier Type

SiC Merged PIN Schottky

Pin Count

3

Peak Reverse Current Ir

25μA

Maximum Forward Voltage Vf

1.85V

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

29A

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

UL, RoHS

Width

11.3 mm

Automotive Standard

No

The Vishay 650 V power SiC Gen 3 merged PIN schottky diode. It comes with improved VF and efficiency by thin wafer technology. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material.

RoHS compliant

Halogen free

UL 94 V-0 flammability rating

Very low profile

Temperature invariant switching behaviour

Liens connexes