Infineon 1.2 kV 15 A Diode Schottky 2-Pin TO-247 IDW15G120C5BFKSA1
- N° de stock RS:
- 216-8391
- Référence fabricant:
- IDW15G120C5BFKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 216-8391
- Référence fabricant:
- IDW15G120C5BFKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | TO-247 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 15A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1.2kV | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | 5th Generation CoolSiC | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Reverse Current Ir | 640μA | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 170A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC 1 | |
| Height | 41.42mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Mount Type Through Hole | ||
Product Type Diode | ||
Package Type TO-247 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 15A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1.2kV | ||
Diode Configuration Single | ||
Series 5th Generation CoolSiC | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Reverse Current Ir 640μA | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 170A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.21mm | ||
Standards/Approvals JEDEC 1 | ||
Height 41.42mm | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC generation 5 offers a new leading edge technology for the schottky barrier diode with current rating of 15 A. This latest generation is suitable for use in motor control and drives, solar system and UPS system.
Highest system efficiency
Improved system efficiency at low switching frequencies
Increased power density at high switching frequencies
Higher system reliability
Reduced EMI
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