Références fabricant

Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 923-0711P
Référence fabricant:: C2M0040120D
Fabricant:: Wolfspeed

Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Sous-total 1 unité (conditionné en tube)*

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N° de stock RS:: 923-0711P
Référence fabricant:: C2M0040120D
Fabricant:: Wolfspeed

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Wolfspeed
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	52mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	4V
	Maximum Power Dissipation Pd	330W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	115nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	21.1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	16.13mm
	Width	5.21mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Wolfspeed
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 4V
	Maximum Power Dissipation Pd 330W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 115nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 21.1mm
	Standards/Approvals No
	Length 16.13mm
	Width 5.21mm
	Automotive Standard No

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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