DiodesZetex ZXMN10A07F Type N-Channel MOSFET, 800 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 922-7954
- Référence fabricant:
- ZXMN10A07FTA
- Fabricant:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
408,00 €
(TVA exclue)
495,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 21 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,136 € | 408,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 922-7954
- Référence fabricant:
- ZXMN10A07FTA
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 800mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | ZXMN10A07F | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 700mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 806mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.05mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 800mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series ZXMN10A07F | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 700mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 806mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.05mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Liens connexes
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-23 ZXMN10A07FTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-23 ZVN3310FTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123TA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 100 V, 6-Pin SOT-23 ZXMN10A08E6TA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-23 ZXMP10A13FTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 100 V, 6-Pin SOT-23 ZXMN10B08E6TA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-23 ZVP3310FTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 BS170FTA
