Références fabricant

DiodesZetex Single 1 N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN53D0LDW-7

N° de stock RS:: 921-1105
Référence fabricant:: DMN53D0LDW-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Single 1 N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN53D0LDW-7

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 921-1105
Référence fabricant:: DMN53D0LDW-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	360mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	50V
	Package Type	SC-88
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	310mW
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Length	2.2mm
	Standards/Approvals	J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS
	Width	1.35mm
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 360mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 50V
	Package Type SC-88
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 310mW
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Length 2.2mm
	Standards/Approvals J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS
	Width 1.35mm
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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