Références fabricant

Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 35 A, 900 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7

N° de stock RS:: 915-8830P
Référence fabricant:: C3M0065090J
Fabricant:: Wolfspeed

Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 35 A, 900 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 915-8830P
Référence fabricant:: C3M0065090J
Fabricant:: Wolfspeed

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Wolfspeed
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	900V
	Series	C3M
	Package Type	TO-263-7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	78mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	113W
	Forward Voltage Vf	4.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.57mm
	Standards/Approvals	RoHS, Halogen Free
	Length	10.23mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Wolfspeed
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 900V
	Series C3M
	Package Type TO-263-7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 78mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 113W
	Forward Voltage Vf 4.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.57mm
	Standards/Approvals RoHS, Halogen Free
	Length 10.23mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.