STMicroelectronics STripFET F7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 906-4693P
- Référence fabricant:
- STP140N6F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,314 € |
| 50 - 120 | 2,08 € |
| 125 - 245 | 1,876 € |
| 250 + | 1,778 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 906-4693P
- Référence fabricant:
- STP140N6F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STripFET F7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 158W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.15mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STripFET F7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 158W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.15mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.