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STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N6F7

N° de stock RS:: 906-4668
Référence fabricant:: STB100N6F7
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N6F7

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N° de stock RS:: 906-4668
Référence fabricant:: STB100N6F7
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	STripFET F7
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.35mm
	Length	10.4mm
	Height	4.6mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series STripFET F7
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.35mm
	Length 10.4mm
	Height 4.6mm
	Automotive Standard No

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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