N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB200N25N3GATMA1

N° de stock RS:: 898-6870P
Référence fabricant:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricant:: Infineon

N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB200N25N3GATMA1

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Référence fabricant:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricant:: Infineon

OptiMOS Power Transistor IPB200N25N3
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	64 A
Maximum Drain Source Voltage	250 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	D2PAK (TO-263)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	20 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Power Dissipation	300 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	9.45mm
Transistor Material	Si
Length	10.31mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	64 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Forward Diode Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	4.57mm

N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB200N25N3GATMA1

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Benefits

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