Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R199CPXKSA1

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897-7400
Référence fabricant:
IPA60R199CPXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS CP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

199mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

16.15mm

Standards/Approvals

No

Length

10.65mm

Width

4.85mm

Automotive Standard

No

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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