DiodesZetex ZXMN3A01Z Type N-Channel MOSFET, 3.3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 ZXMN3A01ZTA
- N° de stock RS:
- 885-5687
- Référence fabricant:
- ZXMN3A01ZTA
- Fabricant:
- DiodesZetex
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
8,85 €
(TVA exclue)
10,70 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 450 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,354 € | 8,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 885-5687
- Référence fabricant:
- ZXMN3A01ZTA
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | ZXMN3A01Z | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.12W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.6mm | |
| Width | 2.6 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series ZXMN3A01Z | ||
Package Type SOT-89 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.12W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.6mm | ||
Width 2.6 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Liens connexes
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin SOT-89 ZXMN3A01ZTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin SOT-89 ZVN4525ZTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-89 ZXMN6A11ZTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-89 ZXMN6A07ZTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-89 ZXMN10A07ZTA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2305UX-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2305UX-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2160U-7
