STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 42 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- N° de stock RS:
- 876-5685P
- Référence fabricant:
- STL42P6LLF6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total 50 unités (conditionné en bande continue)*
68,35 €
(TVA exclue)
82,70 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 90 | 1,367 € |
| 100 - 240 | 1,232 € |
| 250 - 490 | 1,108 € |
| 500 + | 1,052 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 876-5685P
- Référence fabricant:
- STL42P6LLF6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | STripFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 34mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.95mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series STripFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 34mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.95mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.