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N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB33N65M2

N° de stock RS:: 876-5626P
Référence fabricant:: STB33N65M2
Fabricant:: STMicroelectronics

N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB33N65M2

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N° de stock RS:: 876-5626P
Référence fabricant:: STB33N65M2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	24 A
	Maximum Drain Source Voltage	650 V
	Package Type	D2PAK (TO-263)
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	140 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	4V
	Minimum Gate Threshold Voltage	2V
	Maximum Power Dissipation	190 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Length	10.4mm
	Number of Elements per Chip	1
	Transistor Material	Si
	Width	9.35mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	41.5 nC @ 10 V
	Height	4.6mm
	Forward Diode Voltage	1.6V
	Series	MDmesh M2

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 24 A
	Maximum Drain Source Voltage 650 V
	Package Type D2PAK (TO-263)
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 140 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 4V
	Minimum Gate Threshold Voltage 2V
	Maximum Power Dissipation 190 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Length 10.4mm
	Number of Elements per Chip 1
	Transistor Material Si
	Width 9.35mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 41.5 nC @ 10 V
	Height 4.6mm
	Forward Diode Voltage 1.6V
	Series MDmesh M2

Pays d'origine :: CN

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