IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V Enhancement, 24-Pin SMPD
- N° de stock RS:
- 875-2471P
- Référence fabricant:
- MMIX1F520N075T2
- Fabricant:
- IXYS
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Unité | Prix par unité |
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- N° de stock RS:
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 500A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | SMPD | |
| Series | GigaMOS, HiperFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 24 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 830W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30, +30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 545nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.7mm | |
| Length | 25.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 23.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 500A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type SMPD | ||
Series GigaMOS, HiperFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 24 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 830W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30, +30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 545nC | ||
Forward Voltage Vf 1.25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.7mm | ||
Length 25.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 23.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS