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onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FDT1600N10ALZ

N° de stock RS:: 864-8732
Référence fabricant:: FDT1600N10ALZ
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FDT1600N10ALZ

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N° de stock RS:: 864-8732
Référence fabricant:: FDT1600N10ALZ
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	375mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.9nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	10.42W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.7mm
	Width	3.7mm
	Length	6.7mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series PowerTrench
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 375mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 10.42W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.7mm
	Width 3.7mm
	Length 6.7mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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