STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- N° de stock RS:
- 860-7523P
- Référence fabricant:
- STH150N10F7-2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total 10 unités (conditionné en bande continue)*
34,60 €
(TVA exclue)
41,90 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 16 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 18 | 3,46 € |
| 20 - 48 | 3,12 € |
| 50 - 98 | 2,81 € |
| 100 + | 2,675 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 860-7523P
- Référence fabricant:
- STH150N10F7-2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | DeepGate, STripFET | |
| Package Type | H2PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 117nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series DeepGate, STripFET | ||
Package Type H2PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 117nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.