Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 50 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP260MPBF

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N° de stock RS:
827-4013
Référence fabricant:
IRFP260MPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

234nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

21.1mm

Length

16.13mm

Width

5.2 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon


Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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