SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0080120D

N° de stock RS:: 809-8991P
Référence fabricant:: C2M0080120D
Fabricant:: Wolfspeed

SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0080120D

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Référence fabricant:: C2M0080120D
Fabricant:: Wolfspeed

C2M0080120D Silicon Carbide Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	31 A
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Package Type	TO-247
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	208 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.7V
Maximum Power Dissipation	208 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +25 V
Width	5.21mm
Length	16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs	49.2 nC @ 20 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	SiC
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	21.1mm

SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0080120D

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