Nexperia Type N-Channel MOSFET, 82 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN8R2-80YS,115

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Référence fabricant:
PSMN8R2-80YS,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

82A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.1 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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