Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN2R6-40YS,115

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Référence fabricant:
PSMN2R6-40YS,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

131W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.1 mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 40V to 55V


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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