Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN1R2-25YLC,115

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798-2902
Référence fabricant:
PSMN1R2-25YLC,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

66nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.1mm

Length

5mm

Width

4.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, up to 30V


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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