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Toshiba Single TK 1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK40E06N1

N° de stock RS:: 796-5099
Référence fabricant:: TK40E06N1
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Single TK 1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK40E06N1

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 796-5099
Référence fabricant:: TK40E06N1
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Transistor Configuration	Single
	Series	TK
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	60 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	60 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	TO-220
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	-1.2 V
	Height	15.1 mm
	Length	10.16 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	10.4 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	67 W
	Mount Type	Through Hole
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	23 nC
	Width	4.45 mm

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	Marque Toshiba
	Transistor Configuration Single
	Series TK
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 60 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 60 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type TO-220
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) -1.2 V
	Height 15.1 mm
	Length 10.16 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 10.4 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 67 W
	Mount Type Through Hole
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 23 nC
	Width 4.45 mm

MOSFET Transistors, Toshiba

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