STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- N° de stock RS:
- 792-5861P
- Référence fabricant:
- STH3N150-2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- N° de stock RS:
- 792-5861P
- Référence fabricant:
- STH3N150-2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1500V | |
| Package Type | H2PAK | |
| Series | MDmesh | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1500V | ||
Package Type H2PAK | ||
Series MDmesh | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||