STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2

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Référence fabricant:
STB18N60M2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

MDmesh M2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Height

4.6mm

Width

9.35 mm

Automotive Standard

No

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics


A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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