STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N10F7

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792-5697
Référence fabricant:
STB100N10F7
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

STripFET H7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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