STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N10F7

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

15,48 €

(TVA exclue)

18,73 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 203,096 €15,48 €
25 - 452,942 €14,71 €
50 - 1202,648 €13,24 €
125 - 2452,384 €11,92 €
250 +2,26 €11,30 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
792-5697
Référence fabricant:
STB100N10F7
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

STripFET H7

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Width

9.35 mm

Automotive Standard

No

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


Liens connexes