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STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB13N60M2

N° de stock RS:: 792-5694
Référence fabricant:: STB13N60M2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB13N60M2

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 792-5694
Référence fabricant:: STB13N60M2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	MDmesh M2
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	380mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.6mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.4mm
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series MDmesh M2
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 380mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.6mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.4mm
	Automotive Standard No

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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