STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- N° de stock RS:
- 786-3741P
- Référence fabricant:
- STL60N10F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 25 - 45 | 1,606 € |
| 50 - 120 | 1,492 € |
| 125 - 245 | 1,456 € |
| 250 + | 1,42 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 786-3741P
- Référence fabricant:
- STL60N10F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | STripFET H7 | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 0.95mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series STripFET H7 | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 16.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 0.95mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.