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STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH310N10F7-2

N° de stock RS:: 786-3707
Référence fabricant:: STH310N10F7-2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH310N10F7-2

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N° de stock RS:: 786-3707
Référence fabricant:: STH310N10F7-2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	H2PAK
	Series	STripFET H7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	180nC
	Maximum Power Dissipation Pd	315W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.8mm
	Height	4.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type H2PAK
	Series STripFET H7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC
	Maximum Power Dissipation Pd 315W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.8mm
	Height 4.8mm
	Automotive Standard No

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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