STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH310N10F7-2

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786-3707
Référence fabricant:
STH310N10F7-2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

H2PAK

Series

STripFET H7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

180nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

315W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

15.8mm

Height

4.8mm

Width

10.4 mm

Automotive Standard

No

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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