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STMicroelectronics Single MDmesh M2 1 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB6N60M2

N° de stock RS:: 786-3580
Référence fabricant:: STB6N60M2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Single MDmesh M2 1 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB6N60M2

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N° de stock RS:: 786-3580
Référence fabricant:: STB6N60M2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Transistor Configuration	Single
	Series	MDmesh M2
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	4.5 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	650 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	TO-263
	Height	9.35 mm
	Length	10.4 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	1.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	25 V, -25 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	60 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Width	4.6 mm

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	Marque STMicroelectronics
	Transistor Configuration Single
	Series MDmesh M2
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 4.5 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 650 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type TO-263
	Height 9.35 mm
	Length 10.4 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 1.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 25 V, -25 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 60 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Width 4.6 mm

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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