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STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 130 A, 710 V Enhancement, 3-Pin STY139N65M5

N° de stock RS:: 783-3028
Référence fabricant:: STY139N65M5
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 130 A, 710 V Enhancement, 3-Pin STY139N65M5

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N° de stock RS:: 783-3028
Référence fabricant:: STY139N65M5
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	130A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	710V
	Series	MDmesh M5
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	17mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	363nC
	Maximum Power Dissipation Pd	625W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	20.3mm
	Length	15.9mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 130A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 710V
	Series MDmesh M5
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 363nC
	Maximum Power Dissipation Pd 625W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 20.3mm
	Length 15.9mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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