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STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD18N55M5

N° de stock RS:: 761-0418
Référence fabricant:: STD18N55M5
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD18N55M5

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N° de stock RS:: 761-0418
Référence fabricant:: STD18N55M5
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	550V
	Package Type	TO-252
	Series	MDmesh M5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	240mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	90W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	31nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.6mm
	Height	2.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 550V
	Package Type TO-252
	Series MDmesh M5
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 90W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.6mm
	Height 2.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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