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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 13.5 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STB14NK60ZT4

N° de stock RS:: 760-9812P
Référence fabricant:: STB14NK60ZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 13.5 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STB14NK60ZT4

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N° de stock RS:: 760-9812P
Référence fabricant:: STB14NK60ZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	13.5 A
	Maximum Drain Source Voltage	600 V
	Package Type	D2PAK (TO-263)
	Series	MDmesh, SuperMESH
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	500 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
	Minimum Gate Threshold Voltage	3V
	Maximum Power Dissipation	160 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
	Width	10.4mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	75 nC @ 10 V
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Length	10.75mm
	Number of Elements per Chip	1
	Transistor Material	Si
	Height	4.6mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

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	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 13.5 A
	Maximum Drain Source Voltage 600 V
	Package Type D2PAK (TO-263)
	Series MDmesh, SuperMESH
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 500 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
	Minimum Gate Threshold Voltage 3V
	Maximum Power Dissipation 160 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
	Width 10.4mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 75 nC @ 10 V
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Length 10.75mm
	Number of Elements per Chip 1
	Transistor Material Si
	Height 4.6mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

N-channel 600V - 0.45 Ohm - 12A Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET

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