onsemi Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD5867NLT4G
- N° de stock RS:
- 719-2901
- Référence fabricant:
- NTD5867NLT4G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
7,73 €
(TVA exclue)
9,355 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 5 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,546 € | 7,73 € |
| 50 - 95 | 1,332 € | 6,66 € |
| 100 - 495 | 1,154 € | 5,77 € |
| 500 - 995 | 1,016 € | 5,08 € |
| 1000 + | 0,924 € | 4,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 719-2901
- Référence fabricant:
- NTD5867NLT4G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.38mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.38mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Liens connexes
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi RFD3055LESM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi RFD16N06LESM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi NTD24N06L Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi NTD18N06L Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi NTD3055L104 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
