N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXYS IXFK27N80Q

N° de stock RS:: 711-5382P
Référence fabricant:: IXFK27N80Q
Fabricant:: IXYS

N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXYS IXFK27N80Q

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Référence fabricant:: IXFK27N80Q
Fabricant:: IXYS

IXFK 27N80Q Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	27 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Series	HiperFET, Q-Class
Package Type	TO-264AA
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	320 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Power Dissipation	500 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	19.96mm
Width	5.13mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	170 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Height	26.16mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXYS IXFK27N80Q

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series