Vishay SUM110P06-08L Type P-Channel MOSFET, 110 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM110P06-08L-E3
- N° de stock RS:
- 710-5014
- Référence fabricant:
- SUM110P06-08L-E3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
17,74 €
(TVA exclue)
21,465 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,548 € | 17,74 € |
| 25 - 45 | 3,014 € | 15,07 € |
| 50 - 120 | 2,834 € | 14,17 € |
| 125 - 245 | 2,662 € | 13,31 € |
| 250 + | 2,128 € | 10,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 710-5014
- Référence fabricant:
- SUM110P06-08L-E3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SUM110P06-08L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.75W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.41mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SUM110P06-08L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.75W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.41mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TW
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay SUM110P06-08L Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM110P06-07L-E3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SUM55P06-19L Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM55P06-19L-E3
- Vishay SUM55P06-19L Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel Power MOSFET 80 V, 3-Pin TO-263 SUM110P08-11L-E3
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTBS2D7N06M7