P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2301CDS-T1-GE3

N° de stock RS:: 710-3238P
Référence fabricant:: SI2301CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2301CDS-T1-GE3

Price l'unité (conditionné en bobine)**. Pour une quantité inférieure à 150, la livraison s'effectuera en bande

0,081 €

(TVA exclue)

0,098 €

(TVA incluse)

6880 En stock pour livraison sous 4 jour(s)*

* Les dates de livraison peuvent varier selon la quantité choisie et l'adresse de livraison.

FRAIS de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Unité	Prix par unité
20 +	0,081 €

**Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 710-3238P
Référence fabricant:: SI2301CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	2.3 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	112 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	860 mW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs	3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Length	3.04mm
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	1.4mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.02mm

P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2301CDS-T1-GE3

FRAIS de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor