Références fabricant

DiodesZetex ZXMN6A09G N-Channel MOSFET, 7.5 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZXMN6A09GTA

N° de stock RS:: 708-2589
Référence fabricant:: ZXMN6A09GTA
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex ZXMN6A09G N-Channel MOSFET, 7.5 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZXMN6A09GTA

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

8,11 €

(TVA exclue)

9,82 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

1 110 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 13 135 unité(s) expédiée(s) à partir du 15 octobre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 10	1,622 €	8,11 €
15 - 45	1,442 €	7,21 €
50 - 245	1,268 €	6,34 €
250 - 495	1,094 €	5,47 €
500 +	0,912 €	4,56 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 708-2589
Référence fabricant:: ZXMN6A09GTA
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	ZXMN6A09G
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24.2nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.9W
	Forward Voltage Vf	950mV
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.8mm
	Length	6.7mm
	Width	3.7mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q100

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series ZXMN6A09G
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.2nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.9W
	Forward Voltage Vf 950mV
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.8mm
	Length 6.7mm
	Width 3.7mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q100

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.