onsemi NTF Type P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NTF2955T1G
- N° de stock RS:
- 688-9130
- Référence fabricant:
- NTF2955T1G
- Fabricant:
- onsemi
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- 688-9130
- Référence fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | NTF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 185mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.3W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 1.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series NTF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 185mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.3W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Height 1.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
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