STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel SuperMESH Power MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB4NK60ZT4

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687-5190
Référence fabricant:
STB4NK60ZT4
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

SuperMESH Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SuperMESH

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC JESD97

Length

10.4mm

Height

4.6mm

Width

9.35 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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