STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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687-5065P
Référence fabricant:
STB120NF10T4
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

STripFET II

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

172nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Height

4.6mm

Automotive Standard

No

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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