Références fabricant

onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 671-4837
Référence fabricant:: FDP3682
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 671-4837
Référence fabricant:: FDP3682
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-220
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	36mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	95W
	Forward Voltage Vf	1.25V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.83mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	9.4mm
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-220
	Series PowerTrench
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 95W
	Forward Voltage Vf 1.25V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.83mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 9.4mm
	Automotive Standard No

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PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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