Références fabricant

onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin MLP FDMC2523P

N° de stock RS:: 671-0387
Référence fabricant:: FDMC2523P
Fabricant:: onsemi

onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin MLP FDMC2523P

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,94 €

(TVA exclue)

8,395 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

11 250 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	1,388 €	6,94 €
50 - 95	1,196 €	5,98 €
100 - 495	1,034 €	5,17 €
500 - 995	0,91 €	4,55 €
1000 +	0,828 €	4,14 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 671-0387
Référence fabricant:: FDMC2523P
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	MLP
	Series	QFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.6Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	-5V
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.2nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3mm
	Height	0.95mm
	Width	3mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type MLP
	Series QFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf -5V
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.2nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3mm
	Height 0.95mm
	Width 3mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.