P-Channel MOSFET, 3.1 A, 100 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU9110PBF

N° de stock RS:: 541-1663
Référence fabricant:: IRFU9110PBF
Fabricant:: Vishay

P-Channel MOSFET, 3.1 A, 100 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU9110PBF

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Référence fabricant:: IRFU9110PBF
Fabricant:: Vishay

IRFU9110PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	3.1 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	IPAK (TO-251)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	1.2 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	2.38mm
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Length	6.73mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	6.22mm

P-Channel MOSFET, 3.1 A, 100 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU9110PBF

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P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor